Продукція > VISHAY > SIJ478DP-T1-GE3
SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY

sij478dp.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.74 грн
500+52.91 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm.

Інші пропозиції SIJ478DP-T1-GE3 за ціною від 40.26 грн до 171.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sij478dp-1764201.pdf MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 19826 шт:
термін постачання 715-724 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.77 грн
10+128.51 грн
100+87.08 грн
500+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.76 грн
10+106.64 грн
100+70.74 грн
500+52.91 грн
1000+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sij478dp.pdf SIJ478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij478dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij478dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.