Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

на замовлення 19826 шт:

термін постачання 715-724 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIJ478DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIJ478DP-T1-GE3 за ціною від 64.15 грн до 141.83 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIJ478DP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.83 грн
10+	120.80 грн
25+	119.64 грн
100+	86.03 грн
250+	78.86 грн
500+	64.15 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 6400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJ478DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	141.83 грн
10+	120.80 грн
25+	119.64 грн
100+	86.03 грн
250+	78.86 грн
500+	64.15 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.