Продукція > VISHAY SILICONIX > SiJ494DP-T1-GE3
SiJ494DP-T1-GE3

SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sij494dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.13 грн
10+54.68 грн
100+48.76 грн
500+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SiJ494DP-T1-GE3 за ціною від 51.66 грн до 113.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 Vishay sij494dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 Vishay sij494dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 Vishay sij494dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+91.96 грн
156+91.04 грн
187+75.83 грн
250+71.04 грн
500+56.94 грн
1000+53.16 грн
3000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 Vishay sij494dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.39 грн
10+93.39 грн
25+92.46 грн
100+74.00 грн
250+66.60 грн
500+54.98 грн
1000+53.32 грн
3000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sij494dp.pdf MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
на замовлення 12398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 VISHAY sij494dp.pdf Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 SIJ494DP-T1-GE3 VISHAY sij494dp.pdf Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SIJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SIJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+84.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SIJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+91.96 грн
156+91.04 грн
187+75.83 грн
250+71.04 грн
500+56.94 грн
1000+53.16 грн
3000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SIJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+113.39 грн
10+93.39 грн
25+92.46 грн
100+74.00 грн
250+66.60 грн
500+54.98 грн
1000+53.32 грн
3000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SiJ494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ
на замовлення 12398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SIJ494DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ494DP-T1-GE3 sij494dp.pdf
SIJ494DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0232 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0232ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.