SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.15 грн |
| 10+ | 54.69 грн |
| 100+ | 48.77 грн |
| 500+ | 45.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiJ494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SiJ494DP-T1-GE3 за ціною від 54.24 грн до 66.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ |
на замовлення 15579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| SiJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
SiJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |