SIJ494DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.16 грн |
| 500+ | 49.39 грн |
| 1000+ | 43.84 грн |
| 5000+ | 41.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJ494DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIJ494DP-T1-GE3 за ціною від 41.66 грн до 104.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SiJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SiJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Ch 150V Vds 16.1nC Qg Typ |
на замовлення 15579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 5896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIJ494DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ494DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 36.8 A, 0.0193 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0193ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 14403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SIJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
на замовлення 5896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SIJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 36.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SiJ494DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIJ494DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
SiJ494DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |