Продукція > VISHAY > SIJA52ADP-T1-GE3
SIJA52ADP-T1-GE3

SIJA52ADP-T1-GE3 Vishay

sija52adp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJA52ADP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIJA52ADP-T1-GE3 за ціною від 35.68 грн до 139.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sija52adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.62 грн
10+76.25 грн
100+55.98 грн
500+41.66 грн
1000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sija52adp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.90 грн
10+90.53 грн
100+53.78 грн
500+43.11 грн
1000+39.65 грн
3000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA52ADP-T1-GE3
Код товару: 211395
Додати до обраних Обраний товар

sija52adp.pdf Транзистори > ВЧ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sija52adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA52ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sija52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sija52adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA52ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sija52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.