Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SIJA52ADP-T1-GE3 за ціною від 32.45 грн до 132.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIJA52ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIJA52ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 12057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIJA52ADP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|