Продукція > VISHAY > SIJA54ADP-T1-GE3
SIJA54ADP-T1-GE3

SIJA54ADP-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0020843466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.24 грн
500+60.62 грн
1000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJA54ADP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIJA54ADP-T1-GE3 за ціною від 55.22 грн до 875.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sija54adp.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 18030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.13 грн
10+126.46 грн
100+87.06 грн
250+80.95 грн
500+73.16 грн
1000+68.50 грн
3000+58.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sija54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.96 грн
10+135.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0020843466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.05 грн
10+123.36 грн
100+88.24 грн
500+60.62 грн
1000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sija54adp.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна
1+875.81 грн
10+780.74 грн
100+562.06 грн
500+489.52 грн
1000+426.13 грн
2000+395.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54ADP-T1-GE3 SIJA54ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sija54adp.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.