Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJA54ADP-T1-GE3

SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIJA54ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 13837287-3
Price: 445.77 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	148.59 грн
10+	128.40 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIJA54ADP-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
SIJA54ADP-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET	на замовлення 6050 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SIJA54ADP-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET	на замовлення 18030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SIJA54ADP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SIJA54ADP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 386-395 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

на замовлення 18030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJA54ADP-T1-GE3

VISH-S-A0020843466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.