Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJA54DP-T1-GE3
SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sija54dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJA54DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIJA54DP-T1-GE3 за ціною від 31.05 грн до 84.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJA54DP-T1-GE3 SIJA54DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sija54dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+61.62 грн
100+47.91 грн
500+38.11 грн
1000+31.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54DP-T1-GE3 SIJA54DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sija54dp.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 474-483 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.42 грн
10+68.36 грн
100+46.31 грн
500+45.58 грн
9000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54DP-T1-GE3 SIJA54DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sija54dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54DP-T1-GE3 SIJA54DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sija54dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54DP-T1-GE3 SIJA54DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sija54dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA54DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sija54dp.pdf SIJA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.