Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJA58ADP-T1-GE3
SIJA58ADP-T1-GE3

SIJA58ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sija58adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJA58ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 56.8W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm.

Інші пропозиції SIJA58ADP-T1-GE3 за ціною від 26.70 грн до 125.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.24 грн
500+35.90 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija58adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+52.95 грн
100+41.22 грн
500+32.78 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sija58adp-1766497.pdf MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+67.08 грн
100+47.91 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
11+79.65 грн
100+53.24 грн
500+35.90 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 VISH-S-A0010924904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIJA58ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+53.24 грн
500+35.90 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 sija58adp.pdf
SIJA58ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.57 грн
10+52.95 грн
100+41.22 грн
500+32.78 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 sija58adp-1766497.pdf
SIJA58ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.35 грн
10+67.08 грн
100+47.91 грн
500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 VISH-S-A0010924904-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIJA58ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJA58ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.64 грн
11+79.65 грн
100+53.24 грн
500+35.90 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.