SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIJA72ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 96 A, 0.00285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 96, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 56.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, Verlustleistung: 56.8, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00285, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285, SVHC: Lead (19-Jan-2021).