SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.81 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SIJA74DP-T1-GE3 за ціною від 25.17 грн до 113.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIJA74DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIJA74DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET |
на замовлення 16744 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIJA74DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIJA74DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.56 грн |
| 10+ | 54.52 грн |
| 100+ | 37.72 грн |
| 500+ | 29.58 грн |
| 1000+ | 25.17 грн |
| SIJA74DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 16744 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.48 грн |
| 10+ | 52.98 грн |
| 100+ | 40.95 грн |
| 500+ | 32.11 грн |
| 3000+ | 25.67 грн |
| SIJA74DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 24A T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 90.60 грн |
| 10+ | 76.13 грн |
| 25+ | 74.71 грн |