SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


doc?77516
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): +20V, -16V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIJA74DP-T1-GE3 за ціною від 23.46 грн до 108.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77516 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.77 грн
10+55.52 грн
100+38.41 грн
500+30.12 грн
1000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix doc?77516 MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 16816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.35 грн
10+67.69 грн
100+39.10 грн
500+30.65 грн
1000+27.93 грн
3000+24.37 грн
6000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA74DP-T1-GE3 doc?77516
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.77 грн
10+55.52 грн
100+38.41 грн
500+30.12 грн
1000+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA74DP-T1-GE3 doc?77516
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 16816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.35 грн
10+67.69 грн
100+39.10 грн
500+30.65 грн
1000+27.93 грн
3000+24.37 грн
6000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.