SIJH112E-T1-GE3 Vishay Siliconix


sijh112e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+138.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJH112E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIJH112E-T1-GE3 за ціною від 153.70 грн до 444.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh112e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.92 грн
10+236.25 грн
100+169.27 грн
500+153.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sijh112e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.86 грн
10+293.42 грн
100+183.96 грн
500+169.16 грн
1000+167.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+367.92 грн
10+236.25 грн
100+169.27 грн
500+153.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+444.86 грн
10+293.42 грн
100+183.96 грн
500+169.16 грн
1000+167.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.