Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJH5700E-T1-GE3
SIJH5700E-T1-GE3

SIJH5700E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sijh5700e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.13 грн
10+352.96 грн
100+257.06 грн
500+202.91 грн
1000+202.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJH5700E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SIJH5700E-T1-GE3 за ціною від 230.63 грн до 520.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJH5700E-T1-GE3 SIJH5700E-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sijh5700e.pdf MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 811-820 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.32 грн
10+430.33 грн
25+353.58 грн
100+303.18 грн
250+286.38 грн
500+268.81 грн
1000+230.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5700E-T1-GE3 Виробник : Vishay sijh5700e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 17A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5700E-T1-GE3 SIJH5700E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sijh5700e.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.