SIJH600E-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 374.68 грн |
| 50+ | 344.08 грн |
| 100+ | 251.83 грн |
| 250+ | 246.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJH600E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 373A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIJH600E-T1-GE3 за ціною від 220.36 грн до 578.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 373A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIJH600E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |