Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJH600E-T1-GE3
SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sijh600e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+568.56 грн
10+371.51 грн
100+271.65 грн
500+216.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJH600E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 373A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIJH600E-T1-GE3 за ціною від 495.80 грн до 577.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIJH600E-T1-GE3 SIJH600E-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018262596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 920 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 920µohm
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 SIJH600E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sijh600e.pdf MOSFETs PPAK8X8 N-CH 60V 37A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 SIJH600E-T1-GE3 VISHAY sijh600e.pdf Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 Vishay sijh600e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.09 грн
10+496.18 грн
25+495.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 Vishay sijh600e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+577.09 грн
29+495.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 VISH-S-A0018262596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIJH600E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 920 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 920µohm
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 sijh600e.pdf
SIJH600E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAK8X8 N-CH 60V 37A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 sijh600e.pdf
SIJH600E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 sijh600e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+577.09 грн
10+496.18 грн
25+495.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH600E-T1-GE3 sijh600e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+577.09 грн
29+495.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.