Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJK140E-T1-GE3
SIJK140E-T1-GE3

SIJK140E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sijk140e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.77 грн
10+340.41 грн
25+314.53 грн
100+268.53 грн
250+255.82 грн
500+248.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJK140E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIJK140E-T1-GE3 за ціною від 296.48 грн до 497.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sijk140e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.81 грн
10+420.48 грн
25+331.06 грн
100+304.57 грн
250+303.84 грн
1500+296.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sijk140e.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.