SIJK140E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 210.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJK140E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 795A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIJK140E-T1-GE3 за ціною від 216.48 грн до 562.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIJK140E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 795A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIJK140E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIJK140E-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIJK140E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 795A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|