Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJK140E-T1-GE3
SIJK140E-T1-GE3

SIJK140E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sijk140e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+212.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJK140E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 795A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIJK140E-T1-GE3 за ціною від 217.86 грн до 566.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 VISHAY sijk140e.pdf Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 795A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+383.70 грн
50+308.64 грн
100+240.21 грн
250+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijk140e.pdf Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.68 грн
10+352.21 грн
100+257.45 грн
500+234.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sijk140e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.19 грн
10+377.42 грн
100+240.21 грн
500+233.22 грн
1000+217.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 SIJK140E-T1-GE3 VISHAY sijk140e.pdf Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 795A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.19 грн
5+474.94 грн
10+383.70 грн
50+308.64 грн
100+240.21 грн
250+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 sijk140e.pdf
SIJK140E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 795A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+383.70 грн
50+308.64 грн
100+240.21 грн
250+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 sijk140e.pdf
SIJK140E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Ta), 795A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18510 pF @ 20 V
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+539.68 грн
10+352.21 грн
100+257.45 грн
500+234.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 sijk140e.pdf
SIJK140E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+566.19 грн
10+377.42 грн
100+240.21 грн
500+233.22 грн
1000+217.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK140E-T1-GE3 sijk140e.pdf
SIJK140E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJK140E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 795 A, 470 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 795A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+566.19 грн
5+474.94 грн
10+383.70 грн
50+308.64 грн
100+240.21 грн
250+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.