SIR104DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.08 грн |
| 10+ | 156.14 грн |
| 100+ | 108.62 грн |
| 250+ | 100.55 грн |
| 500+ | 91.00 грн |
| 1000+ | 77.79 грн |
| 3000+ | 75.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR104DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SIR104DP-T1-RE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR104DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIR104DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR104DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
SIR104DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SIR104DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |