Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR104LDP-T1-RE3

SIR104LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Name: SIR104LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12465383-3
Price: 129240.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	43.08 грн
6000+	40.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR104LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 100W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm.

Інші пропозиції SIR104LDP-T1-RE3 за ціною від 46.13 грн до 188.46 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIR104LDP-T1-RE3

VISHAY

VISH-S-A0012815793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

на замовлення 8833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.37 грн
500+	63.49 грн
1500+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR104LDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V

на замовлення 8411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.44 грн
10+	93.63 грн
100+	63.67 грн
500+	47.72 грн
1000+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR104LDP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

на замовлення 8833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.63 грн
50+	120.00 грн
100+	85.37 грн
500+	63.49 грн
1500+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR104LDP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs N-CHANNEL 100 V

на замовлення 18827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.46 грн
10+	117.50 грн
100+	73.18 грн
500+	58.61 грн
1000+	54.68 грн
3000+	53.92 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR104LDP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

на замовлення 8833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	85.37 грн
500+	63.49 грн
1500+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR104LDP-T1-RE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V

на замовлення 8411 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	151.44 грн
10+	93.63 грн
100+	63.67 грн
500+	47.72 грн
1000+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR104LDP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm

на замовлення 8833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	183.63 грн
50+	120.00 грн
100+	85.37 грн
500+	63.49 грн
1500+	54.61 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR104LDP-T1-RE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 100 V

на замовлення 18827 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	188.46 грн
10+	117.50 грн
100+	73.18 грн
500+	58.61 грн
1000+	54.68 грн
3000+	53.92 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.