SIR104LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 48.62 грн |
| 6000+ | 45.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR104LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR104LDP-T1-RE3 за ціною від 47.41 грн до 139.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR104LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V |
на замовлення 18051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR104LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 100 V |
на замовлення 20698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR104LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 10648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIR104LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
SIR104LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |