Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR106ADP-T1-RE3
SIR106ADP-T1-RE3

SIR106ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir106adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.35 грн
6000+ 42.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR106ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR106ADP-T1-RE3 за ціною від 42.95 грн до 108.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR106ADP-T1-RE3 SIR106ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir106adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.13 грн
10+ 80.47 грн
100+ 64.02 грн
500+ 50.84 грн
1000+ 43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR106ADP-T1-RE3 SIR106ADP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir106adp.pdf MOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
на замовлення 46561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.77 грн
10+ 89.6 грн
100+ 61.93 грн
250+ 57.14 грн
500+ 51.88 грн
1000+ 44.48 грн
3000+ 42.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR106ADP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir106adp.pdf SIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній