Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR106DP-T1-RE3
SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir106dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+57.30 грн
6000+53.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIR106DP-T1-RE3 за ціною від 54.50 грн до 126.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.70 грн
10+101.67 грн
100+80.90 грн
500+64.24 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir106dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 Vishay sir106dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.70 грн
11+73.50 грн
25+73.04 грн
50+69.72 грн
100+62.00 грн
250+59.50 грн
1000+59.48 грн
3000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
SIR106DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.70 грн
10+101.67 грн
100+80.90 грн
500+64.24 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
SIR106DP-T1-RE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR106DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR106DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+75.70 грн
11+73.50 грн
25+73.04 грн
50+69.72 грн
100+62.00 грн
250+59.50 грн
1000+59.48 грн
3000+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.