SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 61.23 грн |
| 6000+ | 56.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR106DP-T1-RE3 за ціною від 49.76 грн до 216.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR106DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR106DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V |
на замовлення 6804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR106DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR106DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|