Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR108DP-T1-RE3
SIR108DP-T1-RE3

SIR108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir108dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SIR108DP-T1-RE3 за ціною від 46.48 грн до 123.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR108DP-T1-RE3 SIR108DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir108dp.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.75 грн
10+ 107.22 грн
100+ 73.25 грн
500+ 59 грн
1000+ 46.55 грн
3000+ 46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR108DP-T1-RE3 SIR108DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir108dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.18 грн
10+ 105.86 грн
100+ 82.56 грн
500+ 64 грн
1000+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR108DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir108dp.pdf SIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній