SIR120DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.06 грн |
| 10+ | 114.50 грн |
| 100+ | 78.50 грн |
| 500+ | 59.21 грн |
| 1000+ | 55.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR120DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SIR120DP-T1-RE3 за ціною від 52.12 грн до 186.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A |
на замовлення 4065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR120DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V |
на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1786 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIR120DP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.85 грн |
| 10+ | 118.29 грн |
| 100+ | 71.80 грн |
| 500+ | 57.57 грн |
| 1000+ | 53.85 грн |
| 3000+ | 52.12 грн |
| SIR120DP-T1-RE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)