SIR120DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.23 грн |
| 6000+ | 45.63 грн |
| 9000+ | 44.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR120DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm.
Інші пропозиції SIR120DP-T1-RE3 за ціною від 46.08 грн до 118.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR120DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 100W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm |
на замовлення 24814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR120DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V |
на замовлення 14471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR120DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm |
на замовлення 24814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR120DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR120DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 106A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIR120DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 106A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 94nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |