Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR122DP-T1-RE3
SIR122DP-T1-RE3

SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir122dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+28.60 грн
6000+26.23 грн
9000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 65.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 50°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm.

Інші пропозиції SIR122DP-T1-RE3 за ціною від 27.46 грн до 132.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR122DP-T1-RE3 SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir122dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.62 грн
10+54.47 грн
100+42.38 грн
500+33.71 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 SIR122DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir122dp.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.92 грн
10+67.77 грн
100+41.98 грн
500+34.88 грн
1000+32.35 грн
3000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 SIR122DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0006619536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 50°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 32922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.92 грн
12+68.75 грн
100+48.98 грн
500+40.07 грн
1000+33.83 грн
5000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 sir122dp.pdf
SIR122DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.62 грн
10+54.47 грн
100+42.38 грн
500+33.71 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 sir122dp.pdf
SIR122DP-T1-RE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.92 грн
10+67.77 грн
100+41.98 грн
500+34.88 грн
1000+32.35 грн
3000+30.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 VISH-S-A0006619536-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR122DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 50°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 32922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+132.92 грн
12+68.75 грн
100+48.98 грн
500+40.07 грн
1000+33.83 грн
5000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.