SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.22 грн |
| 6000+ | 25.88 грн |
| 9000+ | 24.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 50°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR122DP-T1-RE3 за ціною від 27.09 грн до 131.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR122DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V |
на замовлення 12554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR122DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 50°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 38922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR122DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 34325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR122DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIR122DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 59.6A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |