Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR124DP-T1-RE3
SIR124DP-T1-RE3

SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir124dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.38 грн
6000+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR124DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SIR124DP-T1-RE3 за ціною від 32.81 грн до 92.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay doc77681.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay doc77681.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir124dp.pdf MOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.45 грн
10+72.92 грн
100+49.47 грн
500+40.88 грн
1000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir124dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+61.85 грн
100+43.56 грн
500+36.50 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay doc77681.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 Виробник : Vishay doc77681.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir124dp.pdf SIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.