SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65.7
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 44.67 грн |
| 500+ | 32.81 грн |
| 1000+ | 25.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR1309DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 65.7, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 56.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції SIR1309DP-T1-GE3 за ціною від 20.44 грн до 75.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V |
на замовлення 5162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK |
на замовлення 4174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65.7 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 4486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -65.7A; 56.8W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -150A Drain-source voltage: -30V Drain current: -65.7A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 19.1A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIR1309DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -65.7A; 56.8W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -150A Drain-source voltage: -30V Drain current: -65.7A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 56.8W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |