Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR1309DP-T1-GE3
SIR1309DP-T1-GE3

SIR1309DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir1309dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.11 грн
10+54.39 грн
100+37.41 грн
500+28.00 грн
1000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR1309DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIR1309DP-T1-GE3 за ціною від 18.98 грн до 83.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR1309DP-T1-GE3 SIR1309DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir1309dp.pdf MOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.56 грн
10+57.50 грн
100+33.10 грн
500+25.87 грн
1000+23.50 грн
3000+20.51 грн
6000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir1309dp.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 19,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3250 @ 15, Qg, нКл = 87 @ 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3 SIR1309DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir1309dp.pdf Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.