SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 67.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SIR140DP-T1-RE3 за ціною від 64.20 грн до 167.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR140DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 11305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR140DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 4187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|