Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIR140DP-T1-RE3
SIR140DP-T1-RE3

SIR140DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

sir140dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.43 грн
10+142.45 грн
100+93.09 грн
500+74.92 грн
1000+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR140DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIR140DP-T1-RE3 за ціною від 75.18 грн до 243.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.87 грн
10+152.57 грн
50+117.34 грн
100+99.47 грн
500+80.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 VISHAY 2606261.pdf Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 VISHAY 2606261.pdf Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 Vishay sir140dp.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.09 грн
10+99.99 грн
25+99.92 грн
50+95.53 грн
100+83.06 грн
250+78.85 грн
500+77.63 грн
1000+76.40 грн
3000+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
SIR140DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.87 грн
10+152.57 грн
50+117.34 грн
100+99.47 грн
500+80.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 2606261.pdf
SIR140DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 2606261.pdf
SIR140DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.09 грн
10+99.99 грн
25+99.92 грн
50+95.53 грн
100+83.06 грн
250+78.85 грн
500+77.63 грн
1000+76.40 грн
3000+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.