SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 0.00225 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIR150DP-T1-RE3 за ціною від 24.78 грн до 100.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 0.00225 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
на замовлення 4430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
на замовлення 9914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 12684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|