SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.23 грн |
| 10+ | 52.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 45V, Drain current: 110A, On-state resistance: 3.97mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 65.7W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 70nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 300A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SIR150DP-T1-RE3 за ціною від 23.44 грн до 61.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
на замовлення 11984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A |
товар відсутній |