Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIR164DP-T1-GE3
SIR164DP-T1-GE3

SIR164DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sir164dp-new.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V
на замовлення 4619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.43 грн
10+100.10 грн
100+59.17 грн
500+47.04 грн
1000+43.36 грн
3000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR164DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR164DP-T1-GE3 за ціною від 42.54 грн до 146.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir164dp-new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.85 грн
10+90.01 грн
100+60.81 грн
500+45.32 грн
1000+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir164dp-new.pdf QFN
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir164dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir164dpnew.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir164dp-new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir164dp-new.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.