Продукція > VISHAY > SIR165DP-T1-GE3
SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3 Vishay

sir165dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR165DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIR165DP-T1-GE3 за ціною від 41.65 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75969.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir165dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.99 грн
6000+41.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75969.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir165dp.pdf Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.86 грн
500+55.12 грн
1500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir165dp.pdf Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.84 грн
50+98.80 грн
100+72.86 грн
500+55.12 грн
1500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir165dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 15270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.84 грн
10+98.31 грн
100+66.73 грн
500+49.92 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir165dp.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.98 грн
10+101.28 грн
100+64.66 грн
500+52.62 грн
1000+46.90 грн
3000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir165dp.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.00 грн
10+109.51 грн
100+101.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75969.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir165dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir165dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.