Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR165DP-T1-GE3

SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIR165DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 9341553-3
Price: 153600.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	51.20 грн
6000+	46.24 грн
9000+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR165DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SIR165DP-T1-GE3 за ціною від 49.13 грн до 189.95 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIR165DP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.45 грн
500+	67.12 грн
1500+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V

на замовлення 12974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.62 грн
10+	109.88 грн
100+	75.05 грн
500+	56.46 грн
1000+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 13215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.84 грн
10+	118.34 грн
100+	70.34 грн
500+	56.17 грн
1000+	51.80 грн
3000+	49.13 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.95 грн
50+	133.21 грн
100+	90.45 грн
500+	67.12 грн
1500+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15, Qg, нКл = 138 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 69,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

3000+	110.36 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	90.45 грн
500+	67.12 грн
1500+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V

на замовлення 12974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	177.62 грн
10+	109.88 грн
100+	75.05 грн
500+	56.46 грн
1000+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 13215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	185.84 грн
10+	118.34 грн
100+	70.34 грн
500+	56.17 грн
1000+	51.80 грн
3000+	49.13 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	189.95 грн
50+	133.21 грн
100+	90.45 грн
500+	67.12 грн
1500+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR165DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15, Qg, нКл = 138 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 69,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	110.36 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.