Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR170DP-T1-RE3

SIR170DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Name: SIR170DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 27057875-3
Price: 186930.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	62.31 грн
6000+	56.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR170DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

Інші пропозиції SIR170DP-T1-RE3 за ціною від 65.01 грн до 209.59 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIR170DP-T1-RE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	91.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	91.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	93.54 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V

на замовлення 7363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.59 грн
10+	130.66 грн
100+	90.03 грн
500+	68.19 грн
1000+	65.01 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET

на замовлення 13380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

VISHAY

VISH-S-A0011100332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	87.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	91.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	91.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6000+	93.54 грн

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V

на замовлення 7363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	209.59 грн
10+	130.66 грн
100+	90.03 грн
500+	68.19 грн
1000+	65.01 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET

на замовлення 13380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR170DP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.