Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR178DP-T1-RE3
SIR178DP-T1-RE3

SIR178DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir178dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.22 грн
10+ 88.24 грн
100+ 70.24 грн
500+ 55.78 грн
1000+ 47.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR178DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIR178DP-T1-RE3 за ціною від 51.28 грн до 135.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR178DP-T1-RE3 SIR178DP-T1-RE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir178dp-2897483.pdf MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) MOS
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.86 грн
10+ 111.81 грн
100+ 78.58 грн
500+ 64.46 грн
1000+ 53.08 грн
3000+ 51.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR178DP-T1-RE3 SIR178DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir178dp.pdf Description: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 0.00031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 430
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+135.21 грн
10+ 121.02 грн
100+ 97.12 грн
500+ 74.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR178DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir178dp.pdf SIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR178DP-T1-RE3 SIR178DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir178dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V
товар відсутній