SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 167.13 грн |
| 10+ | 135.02 грн |
| 25+ | 121.02 грн |
| 100+ | 99.38 грн |
| 500+ | 75.51 грн |
| 1000+ | 63.23 грн |
| 3000+ | 62.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR180ADP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIR180ADP-T1-RE3 за ціною від 56.80 грн до 196.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR180ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 60V |
на замовлення 4711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 137A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 200A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIR180ADP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 137A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® SO8 Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |