Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR184DP-T1-RE3
SIR184DP-T1-RE3

SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir184dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+33.30 грн
6000+29.89 грн
9000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIR184DP-T1-RE3 за ціною від 30.45 грн до 122.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0004023719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.11 грн
500+38.48 грн
1500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir184dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 336474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.61 грн
10+71.57 грн
100+48.42 грн
250+48.35 грн
500+38.27 грн
1000+33.48 грн
3000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0004023719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
50+75.24 грн
100+54.11 грн
500+38.48 грн
1500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir184dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.90 грн
10+74.98 грн
100+50.33 грн
500+37.32 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 VISH-S-A0004023719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+54.11 грн
500+38.48 грн
1500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 336474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.61 грн
10+71.57 грн
100+48.42 грн
250+48.35 грн
500+38.27 грн
1000+33.48 грн
3000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 VISH-S-A0004023719-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.08 грн
50+75.24 грн
100+54.11 грн
500+38.48 грн
1500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.90 грн
10+74.98 грн
100+50.33 грн
500+37.32 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.