Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR188DP-T1-RE3
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir188dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 60, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6, Verlustleistung: 65.7, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIR188DP-T1-RE3 за ціною від 47.18 грн до 119.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Siliconix sir188dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.83 грн
10+ 98.89 грн
100+ 77.1 грн
500+ 59.77 грн
1000+ 47.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY 2687521.pdf Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 23796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.33 грн
10+ 97.36 грн
100+ 78.64 грн
500+ 62.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir188dp-1766667.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.95 грн
10+ 99.81 грн
100+ 71.43 грн
250+ 70.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR188DP-T1-RE3 Виробник : VISHAY sir188dp.pdf SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній