SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.35 грн |
| 500+ | 50.51 грн |
| 1000+ | 42.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR188LDP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIR188LDP-T1-RE3 за ціною від 38.53 грн до 141.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR188LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR188LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR188LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR188LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 93.6 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR188LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR188LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 25.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR188LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR188LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 93.6A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 93.6A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 65.7W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |