SIR401DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 60.65 грн |
| 500+ | 44.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR401DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIR401DP-T1-GE3 за ціною від 27.61 грн до 143.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 7783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIR401DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SIR401DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIR401DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.59 грн |
| 10+ | 59.07 грн |
| 100+ | 35.76 грн |
| 500+ | 31.00 грн |
| 1000+ | 27.61 грн |
| SIR401DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.87 грн |
| 10+ | 58.78 грн |
| 100+ | 41.50 грн |
| 500+ | 31.80 грн |
| 1000+ | 28.35 грн |
| SIR401DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 3200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 143.36 грн |
| 10+ | 91.01 грн |
| 100+ | 60.81 грн |
| 500+ | 46.22 грн |