Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR402DP-T1-GE3
SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir402dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR402DP-T1-GE3 за ціною від 55.34 грн до 199.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR402DP-T1-GE3 SIR402DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir402dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.25 грн
10+119.00 грн
100+77.79 грн
250+67.59 грн
500+64.80 грн
1000+57.69 грн
3000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 SIR402DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir402dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.27 грн
10+124.08 грн
100+85.09 грн
500+64.20 грн
1000+59.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 sir402dp.pdf
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir402dp.pdf SIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.