SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sir403edp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.38 грн
6000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR403EDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR403EDP-T1-GE3 за ціною від 21.95 грн до 93.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR403EDP-T1-GE3 SIR403EDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir403edp.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 118130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.38 грн
10+56.51 грн
100+37.15 грн
500+29.06 грн
1000+25.79 грн
3000+23.07 грн
6000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR403EDP-T1-GE3 SIR403EDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir403edp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.31 грн
10+56.86 грн
100+37.70 грн
500+27.67 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.