Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SIR404DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12341808-3
Price: 162930.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	54.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR404DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIR404DP-T1-GE3 за ціною від 58.20 грн до 203.77 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SIR404DP-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0000184319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.37 грн
500+	64.32 грн
1000+	58.20 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR404DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V

на замовлення 13886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.06 грн
10+	114.27 грн
100+	78.57 грн
500+	60.07 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR404DP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	191.68 грн
10+	124.03 грн
100+	85.37 грн
500+	64.32 грн
1000+	58.20 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR404DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 6471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.77 грн
10+	129.40 грн
100+	78.01 грн
500+	62.96 грн
1000+	60.20 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR404DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	85.37 грн
500+	64.32 грн
1000+	58.20 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR404DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V

на замовлення 13886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	184.06 грн
10+	114.27 грн
100+	78.57 грн
500+	60.07 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR404DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	191.68 грн
10+	124.03 грн
100+	85.37 грн
500+	64.32 грн
1000+	58.20 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR404DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 6471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	203.77 грн
10+	129.40 грн
100+	78.01 грн
500+	62.96 грн
1000+	60.20 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.