на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 45.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR416DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR416DP-T1-GE3 за ціною від 39.47 грн до 147.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 5630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 69W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 69W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |