Продукція > VISHAY > SIR416DP-T1-GE3
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3 Vishay

sir416dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR416DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 69W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Інші пропозиції SIR416DP-T1-GE3 за ціною від 40.78 грн до 170.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 Vishay sir416dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir416dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+170.28 грн
10+105.56 грн
100+60.41 грн
500+47.93 грн
1000+45.52 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000149475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.28 грн
10+105.56 грн
100+60.41 грн
500+47.93 грн
1000+45.52 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 VISH-S-A0000149475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 VISH-S-A0000149475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.