SIR416DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.77 грн |
| 500+ | 49.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR416DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIR416DP-T1-GE3 за ціною від 36.79 грн до 156.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIR416DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) |
товару немає в наявності |