Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR418DP-T1-GE3
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir418dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.37 грн
6000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR418DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIR418DP-T1-GE3 за ціною від 37.80 грн до 143.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir418dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.30 грн
10+82.63 грн
100+50.35 грн
500+44.92 грн
1000+38.90 грн
3000+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir418dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 14525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.69 грн
10+87.84 грн
100+59.17 грн
500+44.00 грн
1000+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir418dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 SIR418DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir418dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR418DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir418dp.pdf SIR418DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.