SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.27 грн |
| 10+ | 55.60 грн |
| 100+ | 42.15 грн |
| 500+ | 32.28 грн |
| 1000+ | 28.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc).
Інші пропозиції SIR424DP-T1-GE3 за ціною від 21.70 грн до 90.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR424DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 11600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIR424DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIR424DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) |
товару немає в наявності |