Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR426DP-T1-GE3
SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir426dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
на замовлення 45370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.55 грн
6000+26.47 грн
9000+25.45 грн
15000+22.81 грн
21000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIR426DP-T1-GE3 за ціною від 30.43 грн до 111.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir426dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
на замовлення 46056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+67.83 грн
100+45.24 грн
500+33.36 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir426dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 48891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 Siliconix sir426dp.pdf MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIR426dp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
SIR426DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
на замовлення 46056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.59 грн
10+67.83 грн
100+45.24 грн
500+33.36 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
SIR426DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 48891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
Виробник: Siliconix
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIR426dp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.