Продукція > VISHAY > SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3 Vishay


sir438dp.pdf
Виробник: Vishay
SIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+117.05 грн
10+112.32 грн
25+109.81 грн
100+97.93 грн
250+88.79 грн
500+75.90 грн
1000+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR438DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SIR438DP-T1-GE3 за ціною від 66.59 грн до 176.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR438DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir438dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.19 грн
10+109.34 грн
100+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir438dp.pdf MOSFETs 25V 60A 83W
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+176.05 грн
10+126.91 грн
100+81.08 грн
500+70.27 грн
1000+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 sir438dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.19 грн
10+109.34 грн
100+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR438DP-T1-GE3 sir438dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V 60A 83W
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.05 грн
10+126.91 грн
100+81.08 грн
500+70.27 грн
1000+66.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.