SIR4406DP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.81 грн |
| 500+ | 30.78 грн |
| 1000+ | 26.41 грн |
| 5000+ | 22.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR4406DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SIR4406DP-T1-GE3 за ціною від 22.50 грн до 108.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIR4406DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR4406DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 78A |
на замовлення 11146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR4406DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |