Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR4409DP-T1-RE3

SIR4409DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Name: SIR4409DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 25845281-3
Price: 112980.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	37.66 грн
6000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR4409DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIR4409DP-T1-RE3 за ціною від 34.15 грн до 156.41 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIR4409DP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.62 грн
500+	49.70 грн
1000+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR4409DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V

на замовлення 6135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.47 грн
10+	83.97 грн
100+	56.60 грн
500+	42.09 грн
1000+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR4409DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 17.2A

на замовлення 9316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.56 грн
10+	89.94 грн
100+	52.51 грн
500+	41.55 грн
1000+	38.06 грн
3000+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR4409DP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.41 грн
10+	101.02 грн
100+	67.62 грн
500+	49.70 грн
1000+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR4409DP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	67.62 грн
500+	49.70 грн
1000+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR4409DP-T1-RE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V

на замовлення 6135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	137.47 грн
10+	83.97 грн
100+	56.60 грн
500+	42.09 грн
1000+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR4409DP-T1-RE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 17.2A

на замовлення 9316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	142.56 грн
10+	89.94 грн
100+	52.51 грн
500+	41.55 грн
1000+	38.06 грн
3000+	34.15 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SIR4409DP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	156.41 грн
10+	101.02 грн
100+	67.62 грн
500+	49.70 грн
1000+	42.52 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.