SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.79 грн |
| 6000+ | 24.89 грн |
| 9000+ | 24.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR4602LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.1 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIR4602LDP-T1-RE3 за ціною від 21.54 грн до 95.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR4602LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.1 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR4602LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 52.1 A, 8800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR4602LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 15.2A |
на замовлення 20749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR4602LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR4602LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 15.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR4602LDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR4602LDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 52.1A; Idm: 150A Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 29nC On-state resistance: 12.5mΩ Drain current: 52.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 43W Pulsed drain current: 150A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |