Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR4606DP-T1-GE3
SIR4606DP-T1-GE3

SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir4606dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.33 грн
6000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIR4606DP-T1-GE3 за ціною від 32.81 грн до 124.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir4606dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir4606dp.pdf Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 6921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.53 грн
10+76.22 грн
100+53.22 грн
500+40.14 грн
1000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir4606dp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 34940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
10+85.24 грн
100+50.57 грн
500+40.44 грн
1000+37.06 грн
3000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 SIR4606DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir4606dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir4606dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR4606DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir4606dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
On-state resistance: 22.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.