SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
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Технічний опис SIR4606DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 31.2W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm.
Інші пропозиції SIR4606DP-T1-GE3 за ціною від 31.48 грн до 157.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
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SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 31.2W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR4606DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 29887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SIR4606DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 31.2W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm |
на замовлення 2703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIR4606DP-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31.2W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 67.49 грн |
| 500+ | 49.66 грн |
| 1000+ | 41.97 грн |
| SIR4606DP-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 29887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.56 грн |
| 10+ | 90.50 грн |
| 100+ | 52.60 грн |
| 500+ | 41.70 грн |
| 1000+ | 38.18 грн |
| 3000+ | 33.69 грн |
| 6000+ | 31.48 грн |
| SIR4606DP-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SIR4606DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.0185 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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на замовлення 2703 шт:
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| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 6+ | 157.05 грн |
| 10+ | 100.67 грн |
| 100+ | 67.49 грн |
| 500+ | 49.66 грн |
| 1000+ | 41.97 грн |