Продукція > VISHAY > SIR4608LDP-T1-GE3

SIR4608LDP-T1-GE3 Vishay

Виробник: Vishay
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.3A

на замовлення 1584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIR4608LDP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIR4608LDP-T1-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	SIR4608LDP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	SIR4608LDP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

SIR4608LDP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR4608LDP-T1-GE3

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.