SIR460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.02 грн |
| 10+ | 83.37 грн |
| 100+ | 65.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIR460DP-T1-GE3 за ціною від 31.92 грн до 111.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SIR460DP-T1-GE3 Код товару: 100038
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
 |
SIR460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIR460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIR460DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 48W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 54nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |