Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR462DP-T1-GE3
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir462dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 20667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.58 грн
6000+30.12 грн
9000+28.99 грн
15000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR462DP-T1-GE3 за ціною від 29.82 грн до 129.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 Vishay sir462dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.47 грн
6000+43.21 грн
9000+41.62 грн
15000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 Vishay sir462dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.47 грн
6000+43.21 грн
9000+41.62 грн
15000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 21612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.00 грн
10+76.03 грн
100+50.95 грн
500+37.72 грн
1000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir462dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.63 грн
10+81.68 грн
100+47.26 грн
500+37.27 грн
1000+34.04 грн
3000+29.96 грн
6000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 VISHAY sir462dp.pdf QFN
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
SIR462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.47 грн
6000+43.21 грн
9000+41.62 грн
15000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
SIR462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.47 грн
6000+43.21 грн
9000+41.62 грн
15000+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
SIR462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 21612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.00 грн
10+76.03 грн
100+50.95 грн
500+37.72 грн
1000+34.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
SIR462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.63 грн
10+81.68 грн
100+47.26 грн
500+37.27 грн
1000+34.04 грн
3000+29.96 грн
6000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
Виробник: VISHAY
QFN
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.