Продукція > VISHAY > SIR464DP-T1-GE3
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3 Vishay

sir464dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR464DP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR464DP-T1-GE3 за ціною від 34.64 грн до 116.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir464dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir464dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.65 грн
10+73.34 грн
100+56.89 грн
500+43.52 грн
1000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir464dp.pdf MOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.21 грн
10+82.09 грн
100+54.56 грн
500+43.62 грн
1000+40.90 грн
3000+36.90 грн
6000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir464dp.pdf 08+ DIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir464dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir464dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir464dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir464dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir464dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.