Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR464DP-T1-GE3
SIR464DP-T1-GE3

SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir464dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.40 грн
10+79.03 грн
100+54.62 грн
500+40.67 грн
1000+38.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції SIR464DP-T1-GE3 за ціною від 31.92 грн до 107.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir464dp.pdf MOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.09 грн
10+75.65 грн
100+50.28 грн
500+40.19 грн
1000+37.69 грн
3000+34.01 грн
6000+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir464dp.pdf 08+ DIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir464dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.