SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 41.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SIR464DP-T1-GE3 за ціною від 37.21 грн до 150.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V |
на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V |
на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
08+ DIP |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIR464DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |