SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sir466dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.26 грн
6000+33.43 грн
9000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIR466DP-T1-GE3 за ціною від 27.81 грн до 138.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+46.61 грн
274+46.39 грн
275+46.13 грн
303+40.40 грн
306+37.04 грн
500+31.90 грн
1000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+54.58 грн
15+49.94 грн
25+49.70 грн
50+47.66 грн
100+40.08 грн
250+38.10 грн
500+34.18 грн
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+79.38 грн
14+65.46 грн
100+54.68 грн
500+46.11 грн
1000+38.87 грн
5000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sir466dp.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.39 грн
10+68.67 грн
100+48.43 грн
500+42.10 грн
1000+34.90 грн
3000+34.82 грн
6000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir466dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 20509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.54 грн
10+84.38 грн
100+56.55 грн
500+41.86 грн
1000+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sir466dp.pdf 1041+ QFN-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.