Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR466DP-T1-GE3
SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir466dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.03 грн
6000+30.53 грн
9000+29.39 грн
15000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції SIR466DP-T1-GE3 за ціною від 31.04 грн до 126.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.03 грн
274+51.77 грн
275+51.49 грн
303+45.10 грн
306+41.34 грн
500+35.61 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.86 грн
15+52.03 грн
25+51.77 грн
50+49.65 грн
100+41.76 грн
250+39.69 грн
500+35.61 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.42 грн
6000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir466dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 21088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.06 грн
100+51.65 грн
500+38.23 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors sir466dp.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
272+52.03 грн
274+51.77 грн
275+51.49 грн
303+45.10 грн
306+41.34 грн
500+35.61 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.86 грн
15+52.03 грн
25+51.77 грн
50+49.65 грн
100+41.76 грн
250+39.69 грн
500+35.61 грн
1000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+76.42 грн
6000+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 21088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.19 грн
10+77.06 грн
100+51.65 грн
500+38.23 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 VISH-S-A0001798713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.