Продукція > VISHAY SILICONIX > SIR472ADP-T1-GE3
SIR472ADP-T1-GE3

SIR472ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sir472adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIR472ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SIR472ADP-T1-GE3 за ціною від 19.64 грн до 77.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR472ADP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sir472adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+46.02 грн
100+30.02 грн
500+21.72 грн
1000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sir472adp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472ADP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sir472adp.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.